Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
239-8638
Herst. Teile-Nr.:
SIHK125N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.11Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie E von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Technologie

der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

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