Vishay SIHK075N60E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 29 A 167 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
239-5381
Herst. Teile-Nr.:
SIHK075N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK075N60E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.08Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay hat einen Ablaufstrom von 29 A. Er wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrekturnetzteile (PFC) verwendet.

Technologie der Serie E der 4. Generation

Niedriger Leistungsfaktor (FOM) Ron xQg

Niedrige effektive Kapazität(Co(er))

Reduzierte Schalt- undLeitungsverluste

Avalanche-Energie-Nennwert (UIS)

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