Vishay SIHK N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 279-9920
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK155N60E-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für SMD-Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und eignet sich für elektronische Systeme, die einen hohen Ableitstrom und eine hohe Leistungsaufnahme über einen breiten Temperaturbereich erfordern. Das Gerät ist für die Montage in einem kompakten PowerPAK 10x12-Gehäuse vorgesehen und entspricht den RoHS-Anforderungen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht den Einsatz in Hochspannungsstufen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme
• 156 W maximale Verlustleistung für hohe Schaltanforderungen
• Niedrige Rds(on) von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Ansteuerung mit 30 V ermöglicht eine Standard-Gate-Steuerung auf Logikniveau
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme
• 156 W maximale Verlustleistung für hohe Schaltanforderungen
• Niedrige Rds(on) von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Ansteuerung mit 30 V ermöglicht eine Standard-Gate-Steuerung auf Logikniveau
Anwendungen
• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in Netzteilen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für Quasi-Relais und Halbleiterschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und industrielle Stromverteilungsanlagen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für Quasi-Relais und Halbleiterschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und industrielle Stromverteilungsanlagen
Welchem thermischen Bereich kann er in anspruchsvollen Installationen standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in rauen Industrieumgebungen.
Welche Befestigungsaspekte sind für das Wärmemanagement relevant?
Das oberflächenmontierte PowerPAK 10x12-Format ermöglicht enge Kühlkörper und Leiterplatten-Layouts mit geringem Wärmewiderstand, wenn es mit geeigneten Kupferguss- und Vias-Layouts gepaart wird.
Wie viele Stifte sind vorhanden, und wie wirkt sich das auf das Leiterplatten-Layout aus?
Das Gerät verwendet eine 8-polige Konfiguration, die dedizierte Drain-, Source- und Gate-Anschlüsse für kompakte Hochstromroutings ermöglicht.
Was ist die typische Durchlassspannung und wo ist sie relevant?
Die Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was für Body-Diode-Leitungs-Szenarien und die Rückholleistung bei Schalttransienten relevant ist.
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