Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
268-8313
Herst. Teile-Nr.:
SIHK125N60EF-T1GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHK

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.125Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

9.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay-Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode und Technologie der Serie E der 4. Generation reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Server-Netzteilen und Leistungsfaktorkorrektur-Netzteilen eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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