Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8313
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 11,04
(ohne MwSt.)
€ 13,24
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 996 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | € 5,52 | € 11,04 |
| 50 - 98 | € 4,96 | € 9,92 |
| 100 - 248 | € 4,07 | € 8,14 |
| 250 + | € 3,99 | € 7,98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 268-8313
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.125Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHK | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.125Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 21 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK125N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und Steuerung auf Leiterplatten entwickelt wurde. Es eignet sich für anspruchsvolle elektrische und elektronische Systeme, bei denen eine hohe Drain-to-Source-Spannungsverarbeitung und eine hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät wird in einem Compact PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die über einen breiten Temperaturbereich arbeiten.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Belastungen
• 0,125 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Betriebsstrom
• 45 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Management
• Die Verlustleistung von 132 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Belastungen
• 0,125 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Betriebsstrom
• 45 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Management
• Die Verlustleistung von 132 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile in Automationssystemen
• Wird für die Schaltnetzteil-Umwandlung in elektrischen Geräten verwendet
• Kann für Zug- und Umwandlungsmodule mit mittlerer Leistung verwendet werden
• Ideal für Hochspannungsnetzteile in Automationssystemen
• Wird für die Schaltnetzteil-Umwandlung in elektrischen Geräten verwendet
• Kann für Zug- und Umwandlungsmodule mit mittlerer Leistung verwendet werden
Welcher Spannungsbelastung kann er in Schaltkreisen standhalten?
Es kann bis zu 650 V zwischen Drain und Quelle verarbeiten, womit es für Hochspannungstopologien geeignet ist.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf das Antriebsdesign aus?
Eine typische Gate-Ladung von 45 nC informiert über Gate-Treiber-Strom- und Schaltverlustberechnungen während Übergangsereignissen.
In welchen thermischen Extremen kann er arbeiten?
Die Betriebsgrenzen reichen von -55 °C am unteren Ende bis zu 150 °C am oberen Ende für Sperrschichttemperaturen.
Wie viele Stifte und welche Montageart wird verwendet?
Es handelt sich um ein 8-poliges Gerät für die Leiterplattenmontage in einer PowerPAK 10 x 12-Größe.
Was ist die maximale zulässige Gate-Spannung?
Das Gate kann bis zu 30 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, ohne seine Gate-Quellenbelastbarkeit zu überschreiten.
Verwandte Links
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12