Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
268-8311
Herst. Teile-Nr.:
SIHK105N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHK

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

9.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay mit der Technologie der Serie E der 4. Generation reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Netzteilen mit Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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