Vishay SIHK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
279-9919
Herst. Teile-Nr.:
SIHK155N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.158Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

9.9mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität

Avalanche-Energie-Nennwert

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

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