Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 48 A 278 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 239-8634
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 8,64
(ohne MwSt.)
€ 10,37
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 040 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 8,64 |
| 10 - 24 | € 8,12 |
| 25 - 49 | € 7,34 |
| 50 - 99 | € 6,90 |
| 100 + | € 6,48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-8634
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.043Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.043Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 48 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK045N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagement in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen Zuverlässigkeit auf Automobilniveau und hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Ablassspannung ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 48 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten • 0,043 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 98 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen • Maximale Verlustleistung von 278 W für erhebliche thermische Handhabung • AEC-Q101-Qualifizierung, die den Anforderungen der Stressüberwachung im Automobilbereich gerecht wird
Anwendungen
• Geeignet für Traktionsumrichter und Motorsteuerungsstufen in Fahrzeugen • Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler in der industriellen Automatisierung • Wird für die DC/DC-Umwandlung in elektrischen Hochleistungssystemen verwendet • Kann für Schaltnetzteile in anspruchsvollen Umgebungen verwendet werden
Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich zulassen?
Gate-Treiber so ausgelegt, dass sie etwa die typische 98-nC-Ladung bei den gewählten Vgs liefern, um sicherzustellen, dass die Schaltgeschwindigkeit mit dem System-Timing übereinstimmt und gleichzeitig die Schaltverluste begrenzt werden.
Wie sollte das Wärmemanagement auf Leiterplattenbaugruppen behandelt werden?
Verwenden Sie das PowerPAK 10x12-Oberflächengehäuse zur Wärmeableitung und zur Bereitstellung einer ausreichenden Kupferfläche und -durchführung, um bis zu 278 W unter definierten Kühlbedingungen abzuleiten.
Welche Spannungsbereiche sind für die Sicherheitskonstruktion geeignet?
Wählen Sie Systembetriebsspannungen deutlich unter der maximalen Drain-Source-Nennleistung von 650 V aus und begrenzen Sie Gate-Exkursionen innerhalb der Gate-Source-Einschränkung von ±30 V.
Gibt es Einschränkungen bei der Umgebungstemperatur für den Betrieb?
Das Gerät funktioniert von -55 °C bis +150 °C Sperrschichttemperatur, sodass die Systemkühlung und -abstufung Hochtemperatur-Betriebspunkte berücksichtigen müssen.
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Series N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay E Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK