Vishay SiK N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 795 A 536 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
735-142
Herst. Teile-Nr.:
SiJK140E
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

795A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

SiK

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00047Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

536W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

312nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

40V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4mm

Breite

10mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

12mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen

0,21 °C/W niedriges RthJC für optimale thermische Leistung

312 nC typische Gesamt-Gate-Ladung

Standardpegel-FET mit 2,4 V Minimum VGS

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