Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8314
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Alternative
Dieses Produkt ist derzeit nicht verfügbar. Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
1 Stück (in Packung zu 2)
€ 9,84
(ohne MwSt.)
€ 11,81
(inkl. MwSt.)
- RS Best.-Nr.:
- 268-8314
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.193Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 9.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.193Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 9.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 16 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK185N60EF-T1GE3
Merkmale und Vorteile:
• 16 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastströme
• 114 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 0.193 Ω Rds(on) reduzieren Leitungsverluste unter Last
• 32 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für eine robuste Gate-Toleranz
Anwendungen
• Ideal für industrielle Motorantriebe und Wechselrichterstufen
• Wird mit Umrichtern für erneuerbare Energien verwendet, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise auf Leiterplatten verwendet werden
• Geeignet für den allgemeinen Austausch von Hochleistungstransistoren in Baugruppen
Welchen Temperaturbereich verträgt er in anspruchsvollen Umgebungen?
Welche Montageart ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?
Wie viele Stifte sind für Anschluss- und Erdungsschemata verfügbar?
Ist er für Kfz-spezifische Normen geeignet?
Verwandte Links
- Vishay SIHK N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SF Series N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12

