Vishay SiK N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 417 A 536 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
735-161
Herst. Teile-Nr.:
SiJK5100E
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

417A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiK

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0014Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

131nC

Durchlassspannung Vf

100V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

536W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10mm

Länge

12mm

Höhe

4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen

94 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C

54,3 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten

Erweiterter Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C

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