Vishay TrenchFET Gen IV N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 461 A 446 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 790-428
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJK4610-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*
€ 210,60
(ohne MwSt.)
€ 252,70
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 05. Juli 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 4,212 | € 210,60 |
| 500 - 2450 | € 2,617 | € 130,85 |
| 2500 - 4950 | € 2,02 | € 101,00 |
| 5000 + | € 1,368 | € 68,40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-428
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJK4610-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 461A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0012Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 461A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0012Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet eine hervorragende Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit seiner robusten Konstruktion minimiert er den Leistungsverlust und bietet eine außergewöhnliche Leitfähigkeit, wodurch er sich ideal für Power-Management-Systeme eignet.
Die Nennbetriebsspannung von 60 V erhöht die Zuverlässigkeit des Systems
Geringer Einschaltwiderstand für geringere Verlustleistung
Der Kelvin-Anschluss reduziert die Gate-Rauschstörungen erheblich
Robuste kontinuierliche Ablassstromkapazität von 77 A gewährleistet optimale Leistung
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Gen IV N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC