Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 108 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 200-6847
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS50DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 108A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 108A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SISS50DN-T1-GE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
100 % Rg- und UIS-getestet
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