Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
180-7743
Herst. Teile-Nr.:
SIS476DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0035Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Höhe

1.12mm

Länge

3.61mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay SIS476DN ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 30 V. Die Gate-Quelle-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein Power PAK 1212-8-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,0025 Ohm bei 10 VGS und 0,0035 Ohm bei 4,5 VGS. Maximaler Drain-Strom: 40 A.

Trench-FET-Leistungs-MOSFET der IV

100 % Rg- und UIS-geprüft

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