Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

€ 6.892,00

(ohne MwSt.)

€ 8.270,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 000 Einheit(en) mit Versand ab 28. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +€ 3,446€ 6.892,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
239-8635
Herst. Teile-Nr.:
SIHK055N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Verlustleistung Pd

236W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie E von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Technologie

der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Verwandte Links