Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 239-8635
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SIHK055N60E-T1-GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.05Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 236W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.05Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 236W | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 42 A – SIHK055N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagement in anspruchsvollen Industrie- und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Hochspannungshandhabung und eine kompakte Verpackung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • Kontinuierlicher Ablassstrom von 42 A unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung • Niedrige Rds(on) von 0,056 Ω reduziert Leitungsverluste • Die typische Gate-Ladung von 54 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus • Die Verlustleistung von 236 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • Ausgelegt bis zu +150 °C für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Leistungsumwandlungsstufen in der industriellen Automatisierung • Ideal für Schaltkreise von Motorantrieben und Frequenzumrichtern • Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in elektrischen Systemen • Kann für Automobil-Power-Management-Module verwendet werden, die eine AEC-Q101-Qualifizierung erfordern
Welche Montageart ist für die Platinenmontage erforderlich?
Es wird in einem PowerPAK 10x12-Oberflächengehäuse mit acht Stiften geliefert, das für oberflächenmontierte Lötprozesse und Wärmeleitfähigkeit auf der Leiterplatte entwickelt wurde.
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung auf die Auswahl der Steuerung aus?
Das Gerät unterstützt Gate-Source-Spannungen bis zu 30 V und hat eine typische Gate-Ladung von 54 nC, sodass die Treiber ausreichend Ladung für die gewünschten Schaltübergänge liefern müssen, während sie innerhalb der VGS-Grenze bleiben.
Welchen Umgebungsbedingungen kann es während des Betriebs standhalten?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz über einen breiten Umgebungs- und Sperrschichttemperaturbereich in rauen Umgebungen.
Gibt es Branchenzulassungen, die für den Einsatz im Automobilbereich relevant sind?
Er erfüllt die AEC-Q101-Normen für Halbleiter in Automobilqualität und ist RoHS-konform für Materialbeschränkungen.
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