Teile-Nr.

Infineon F4 N-Kanal Quad, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 100 A AG-EASY2B

RS Best.-Nr.:: 234-8960
Herst. Teile-Nr.:: F411MR12W2M1B76BOMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon F4 N-Kanal Quad, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 100 A AG-EASY2B

Nicht verfügbar

Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.

RS Best.-Nr.:: 234-8960
Herst. Teile-Nr.:: F411MR12W2M1B76BOMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	100 A
	Drain-Source-Spannung max.	1200 V
	Gehäusegröße	AG-EASY2B
	Serie	F4
	Montage-Typ	Schraubmontage
	Drain-Source-Widerstand max.	0,0113 Ω
	Gate-Schwellenspannung max.	5.55V
	Anzahl der Elemente pro Chip	4
	Transistor-Werkstoff	SiC

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 100 A
	Drain-Source-Spannung max. 1200 V
	Gehäusegröße AG-EASY2B
	Serie F4
	Montage-Typ Schraubmontage
	Drain-Source-Widerstand max. 0,0113 Ω
	Gate-Schwellenspannung max. 5.55V
	Anzahl der Elemente pro Chip 4
	Transistor-Werkstoff SiC

Datasheet - F411MR12W2M1B76BOMA1

Das Infineon-IGBT-Modul verfügt über einen 4-N-Kanal-FET (Halbbrücke), der mit 1200 V Drain-Source-Spannung und 100 A Dauerstrom arbeitet.

Chassismontage
-40 °C bis 150 °C Betriebstemperatur

Infineon F4 N-Kanal Quad, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 100 A AG-EASY2B

Verwandte Links