Infineon F4-11MR12W2M1H_B70 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 60 A 20 mW
- RS Best.-Nr.:
- 349-250
- Herst. Teile-Nr.:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | 60749, IEC 60747, 60068 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen 60749, IEC 60747, 60068 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack-Modul 1200 V, 11 mΩ G1 hat NTC, vorappliziertes Wärmeleitmaterial (TIM) und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieser MOSFET zeichnet sich durch ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Höhe von 12 mm aus, das optimale Leistung bei gleichzeitiger Platzersparnis gewährleistet. Er verwendet modernste Wide-Bandgap-Materialien, die die Leistungseffizienz und das Wärmemanagement verbessern. Das Design zeichnet sich durch eine sehr geringe Streuinduktivität des Moduls aus, was die Leistungsverluste reduziert und die Schaltgeschwindigkeit verbessert.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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