Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 25 A 20 mW EasyPACK
- RS Best.-Nr.:
- 348-968
- Herst. Teile-Nr.:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 69.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 69.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET Fourpack-Modul 1200 V, 33 mΩ G1 mit NTC- und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieser MOSFET zeichnet sich durch ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Bauhöhe von 12 mm aus, das eine effiziente Raumnutzung ohne Leistungseinbußen ermöglicht. Er enthält modernste WBG-Materialien (Wide Bandgap), die einen verbesserten Wirkungsgrad und eine höhere Belastbarkeit gewährleisten. Das Design zeichnet sich außerdem durch eine sehr geringe Streuinduktivität des Moduls aus, was die Verlustleistung reduziert und die Schaltleistung optimiert.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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