Infineon FF11MR12W2M1H_B70 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 75 A 20 mW EasyPACK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 265,53

(ohne MwSt.)

€ 318,64

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +€ 265,53

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
348-975
Herst. Teile-Nr.:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

FF11MR12W2M1H_B70

Gehäusegröße

EasyPACK

Montageart

Schraubanschlussklemme

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Durchlassspannung Vf

5.35V

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Das Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC-MOSFET-Halbbrückenmodul kombiniert modernste Technologie mit herausragendem Design für Hochleistungsanwendungen. Mit einem erstklassigen Gehäuse und einer kompakten Höhe von 12,25 mm optimiert es sowohl den Platz als auch die Leistung. Das Modul verwendet modernstes Wide Bandgap (WBG)-Material, das eine verbesserte Leistungseffizienz, thermische Leistung und Zuverlässigkeit bietet. Seine sehr geringe Modul-Streuinduktivität minimiert die Leistungsverluste und verbessert das Schaltverhalten.

Hervorragende Moduleffizienz

Kostenvorteile des Systems

Verbesserung der Systemeffizienz

Geringerer Kühlungsbedarf

Ermöglichung einer höheren Frequenz

Erhöhung der Leistungsdichte

Bessere Wärmeleitfähigkeit des DCB-Materials

Verwandte Links