DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
222-2839
Herst. Teile-Nr.:
DMN33D8LDWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

US

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.55nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.35W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS

Länge

2.15mm

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex Dual-n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschützt

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