DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2827
Herst. Teile-Nr.:
DMN2053UVTQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

TSOT-26

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.035Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.6nC

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

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