DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 217 mA 250 mW, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
222-2847
Herst. Teile-Nr.:
DMN66D0LDWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

217mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMN

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Länge

2.15mm

Höhe

0.95mm

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Der DiodesZetex Dual N-Kanal Enhancement Mode MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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