DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 217 mA 250 mW, 6-Pin US

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

€ 2,15

(ohne MwSt.)

€ 2,60

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 50€ 0,043€ 2,15
100 - 200€ 0,042€ 2,10
250 - 450€ 0,041€ 2,05
500 - 950€ 0,04€ 2,00
1000 +€ 0,039€ 1,95

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2848
Herst. Teile-Nr.:
DMN66D0LDWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

217mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

US

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Höhe

0.95mm

Länge

2.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Der DiodesZetex Dual N-Kanal Enhancement Mode MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links