DiodesZetex Doppelt DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26
- RS Best.-Nr.:
- 222-2826
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 222-2826
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOT-26 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.035Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 700mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOT-26 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.035Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 700mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN N-Kanal 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN N-Kanal 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN N-Kanal 6-Pin US
- DiodesZetex N-Kanal 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex Doppelt Typ N Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT