DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 5,45

(ohne MwSt.)

€ 6,55

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 2 950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25€ 0,218€ 5,45
50 - 75€ 0,214€ 5,35
100 - 225€ 0,109€ 2,73
250 - 975€ 0,108€ 2,70
1000 +€ 0,096€ 2,40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2840
Herst. Teile-Nr.:
DMN33D8LDWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.35W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.55nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS

Länge

2.15mm

Höhe

0.95mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex Dual-n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschützt

Verwandte Links