DiodesZetex Doppelt 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.33 W, 6-Pin US

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

€ 6,10

(ohne MwSt.)

€ 7,30

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 14 750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 50€ 0,122€ 6,10
100 - 200€ 0,06€ 3,00
250 - 450€ 0,059€ 2,95
500 - 950€ 0,055€ 2,75
1000 +€ 0,054€ 2,70

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2692
Herst. Teile-Nr.:
2N7002DWK-7
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

261mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

2N7002

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.33W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.51nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Der zweifache N-Kanal-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

Verwandte Links