DiodesZetex Doppelt 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.33 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
222-2691
Herst. Teile-Nr.:
2N7002DWK-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

261mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

US

Serie

2N7002

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.51nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.33W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Der zweifache N-Kanal-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

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