DiodesZetex Doppelt DMN53D0LDWQ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 460 mA 310 W, 3-Pin US

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RS Best.-Nr.:
213-9190
Herst. Teile-Nr.:
DMN53D0LDWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

460mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

US

Serie

DMN53D0LDWQ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0016Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

310W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

1.35 mm

Höhe

0.95mm

Länge

2.15mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Der zweifache N-Kanal-MOSFET der Serie DiodesZetex DBN53D0LDWQ wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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