Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3112
Herst. Teile-Nr.:
IRFR48ZTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

91W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.39 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Ohne Leitung

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