Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 91 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
215-2599
Herst. Teile-Nr.:
IRFR540ZTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

91W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten 35 A ID-Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Bleifrei und halogenfrei

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