Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

€ 816,00

(ohne MwSt.)

€ 980,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 10 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +€ 0,408€ 816,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-7941
Herst. Teile-Nr.:
IRFR5410TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

205mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

66W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links