Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 14 A 79 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4860
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530NPBF
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
€ 33,40
(ohne MwSt.)
€ 40,10
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
- 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 12 700 Einheit(en) mit Versand ab 09. Oktober 2026
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,668 | € 33,40 |
| 100 - 200 | € 0,635 | € 31,75 |
| 250 - 450 | € 0,608 | € 30,40 |
| 500 - 1200 | € 0,568 | € 28,40 |
| 1250 + | € 0,535 | € 26,75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4860
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530NPBF
- Hersteller:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 14A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 79W maximale Verlustleistung - IRF9530NPBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Wie kann sich der Betriebstemperaturbereich auf die Nutzung auswirken?
Welche Auswirkungen hat die Angabe der maximalen Verlustleistung?
Kann es in Parallelkonfigurationen verwendet werden, um die Stromkapazität zu erhöhen?
Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?
Wie wirkt sich die Auswahl der Geräte auf die Gesamtleistung der Schaltung aus?
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin I2PAK (TO-262)
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
