Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 919-4915
Herst. Teile-Nr.:: IRF5210PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 919-4915
Herst. Teile-Nr.:: IRF5210PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.69mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Länge	10.54mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	8.77mm

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

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