Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7347
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR48ZTRL
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 91W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.22mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 91W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.22mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon AUIRFR48ZTRL wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen eingesetzt.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
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