Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 75 V / 62 A 120 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
220-7470
Herst. Teile-Nr.:
IRF3007STRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Planare Zellstruktur für eine breite SOA

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)

Kann wellengelötet werden

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