Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
831-2806
Herst. Teile-Nr.:
IRF2807ZSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 89A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 170W maximale Verlustleistung - IRF2807ZSTRLPBF


Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert und bietet Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen elektronischen Schaltungen. Sein geringer Einschaltwiderstand und seine starken thermischen Eigenschaften machen ihn für Anwender in der Automatisierungstechnik, der Elektrotechnik und dem Maschinenbau unverzichtbar und ermöglichen ein effektives Energiemanagement und eine Reduzierung der Energieverluste.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierlicher Ableitstrom bis zu 89A

• Maximale Drain-Source-Spannung von 75 V

• Betriebstemperatur bis zu +175°C für thermische Stabilität

• Niedriger Rds(on) von 9,4 mΩ zur Reduzierung der Verlustleistung

• Schnelle Umschaltmöglichkeiten verbessern die Reaktionsfähigkeit des Systems

• Enhancement Mode Gerät für optimalen Betrieb

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen zur effizienten Energieumwandlung

• Eingesetzt in Automobil- und Industriesystemen zur Motorsteuerung

• Geeignet für DC-DC-Wandler und Schaltregler

• Anwendbar bei Hochfrequenzschaltungen in der Elektronik

• Verwendet für den Überlastschutz in verschiedenen elektrischen Systemen

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?


Er kann eine maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V verwalten und ist mit verschiedenen Steuersignalen kompatibel.

Wie verhält sich dieses Bauteil bei hohen Temperaturen?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C bleibt er auch in Hochtemperaturumgebungen stabil und funktionsfähig und eignet sich daher für solche Anwendungen.

Welchen Zweck erfüllt die Funktion des niedrigen Einschaltwiderstands?


Der niedrige Durchlasswiderstand minimiert die Wärmeentwicklung und erhöht die Effizienz im Betrieb, was für Hochstromanwendungen wichtig ist.

Kann es sowohl für die Oberflächenmontage als auch für Durchgangsbohrungen verwendet werden?


Dieser Baustein wurde speziell für die Oberflächenmontage in einem D2PAK-Gehäuse entwickelt, um den Platzbedarf und die thermische Leistung zu optimieren.

Welchen Nutzen hat die Schaltgeschwindigkeit für das Systemdesign?


Schnelles Schalten verbessert den Gesamtwirkungsgrad des Systems und ermöglicht ein kompaktes Design, indem es den Betrieb mit höheren Frequenzen in Power-Management-Lösungen erleichtert.

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