Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 18,66

(ohne MwSt.)

€ 22,39

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 810 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 3,732€ 18,66
25 - 45€ 3,55€ 17,75
50 - 120€ 3,394€ 16,97
125 - 245€ 3,176€ 15,88
250 +€ 2,984€ 14,92

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-0997
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3307ZTRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

128A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links