Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 23,45

(ohne MwSt.)

€ 28,15

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 100€ 0,938€ 23,45
125 - 225€ 0,891€ 22,28
250 - 600€ 0,854€ 21,35
625 - 1225€ 0,816€ 20,40
1250 +€ 0,76€ 19,00

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2627
Herst. Teile-Nr.:
IRFR5505TRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal und -55 V in einem D-Pak-Gehäuse.

RoHS-kompatibel

Niedriger RDS (EIN)

Branchenführende Qualität

Dynamische dv/dt-Bewertung

Fast Switching

Voll-Avalanche-Bewertung

Betriebstemperatur von 175 °C

P-Kanal-MOSFET

Verwandte Links