Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 223-8457
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5305TRL
- Hersteller:
- Infineon
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- AUIRFR5305TRL
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der für die Automobilindustrie qualifizierte einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-pak-Gehäuse. Das Mobilfunkdesign von Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird aufgrund der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des robusten Geräts in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt.
Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ohne Leitung
RoHS-konform
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