Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 31,75

(ohne MwSt.)

€ 38,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 350 Einheit(en) mit Versand ab 11. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50€ 0,635€ 31,75
100 - 200€ 0,495€ 24,75
250 - 450€ 0,463€ 23,15
500 - 1200€ 0,432€ 21,60
1250 +€ 0,40€ 20,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
919-4924
Herst. Teile-Nr.:
IRF5305PBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.69 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.54mm

Höhe

8.77mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRF5305PBF


Dieser MOSFET ist auf hocheffiziente Leistungsanwendungen zugeschnitten und bietet sowohl Flexibilität als auch Zuverlässigkeit. Durch seinen Enhancement-Mode-Betrieb eignet er sich für verschiedene Systeme, die ein kontrolliertes Schalten erfordern, insbesondere in Industrie- und Automatisierungsumgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierliche Stromaufnahmekapazität von 31 A für anspruchsvolle Anwendungen

• Die Nennspannung von 55 V ermöglicht ein zuverlässiges Schalten

• Niedriger Einschaltwiderstand von 60mΩ reduziert den Leistungsverlust

• TO-220AB-Gehäusedesign verbessert die thermische Leistung

• Gate-Source-Spannungsbereich von ±20 V für vielfältige Anwendungen

• Schnelle Schaltoptimierung steigert die Effizienz des Gesamtsystems

Anwendungsbereich


• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für einen effizienten Betrieb

• Einsetzbar in Stromversorgungsschaltungen für stabile Leistung

• Integriert in elektronische Geräte, die effektive Schaltfunktionen erfordern

• Geeignet für den Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen

Wie groß ist der Temperaturbereich für den Betrieb?


Er arbeitet bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.

Wie wirkt sich der Pakettyp auf die Leistung aus?


Das TO-220AB-Gehäuse bietet einen geringen Wärmewiderstand und verbessert die Kühleffizienz während des Betriebs.

Kann es Anwendungen mit gepulstem Ableitstrom bewältigen?


Ja, er unterstützt gepulste Ableitströme von bis zu 110 A und gewährleistet damit eine angemessene Leistung bei transienten Anforderungen.

Um welche Art von Transistor handelt es sich?


Es handelt sich um einen P-Kanal-Si-MOSFET, der für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad optimiert ist.

Ist sie mit automatisierten Montageprozessen kompatibel?


Ja, das Durchgangslochdesign ermöglicht die Integration in automatisierte Systeme und Leiterplatten.

Verwandte Links