Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Dieser P-Kanal-MOSFET ist für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen vorgesehen. Er hat einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 11A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 55V und ist damit in der Lage, große Lasten zu bewältigen und gleichzeitig Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Die Durchsteckmontage ermöglicht eine nahtlose Integration in bestehende Konstruktionen und macht sie zu einer Schlüsselkomponente für Fachleute in der Automatisierung und Elektronik.

• Niedriger Rds(on) von 175mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Maximale Verlustleistung von 38 W unterstützt robuste Leistung
• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht Entwicklungsprozesse
• Entspricht den bleifreien Normen für umweltbewusste Anwendungen

• Geeignet für Stromversorgungen und Wandlerschaltungen
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für einen effektiven Betrieb
• Integriert in Batteriemanagementsysteme für verbesserte Leistung
• Anwendbar in Automobilumgebungen für zuverlässige Leistungsaufnahme
• Ideal für industrielle Automatisierungsanlagen, die robuste Leistung erfordern

Das Bauteil arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet zuverlässige Leistung in verschiedenen Umgebungen.

Mit einer maximalen Verlustleistung von 38 W und einem niedrigen Rds(on) von 175 mΩ bewältigt er hohe Leistungslasten bei minimalem Energieverlust.

Ja, die Durchsteckmontage ist mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel und erleichtert die einfache Integration.

Ein Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V bietet Flexibilität

Der niedrige On-Widerstand und die hohe Strombelastbarkeit maximieren die Effizienz in verschiedenen Power-Management-Szenarien.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.