Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 3.8 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 650-3662
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-29-285
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905LPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, -70A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 3,8W maximale Verlustleistung - IRF4905LPBF
Dieser Infineon-MOSFET verfügt über eine P-Kanal-Konfiguration und kann einen kontinuierlichen Drain-Strom von -70 A bei einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V verarbeiten. Er ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, insbesondere für elektronische Schaltungen, die ein effektives Energiemanagement und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Er eignet sich für Anwender in der Automatisierungs- und Elektronikbranche und bietet einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbesserte Leistung bei hohen Temperaturen, bis zu +175°C
• Niedriger RDS(on) für geringere Verlustleistung im Betrieb
• Schnelle Umschaltmöglichkeiten zur Verbesserung der Effizienz
• Hält wiederholte Lawinenbedingungen ohne Ausfall aus
• Effektive Gate-Ladungscharakteristik für besseres Ansprechverhalten der Schaltung
Anwendungsbereich
• Verwendung in Energiemanagement-Schaltungen für energieeffiziente Geräte
• Ideal für die Steuerung bürstenloser DC-Motoren
• Anwendbar in der Automobilelektronik für erhöhte Zuverlässigkeit
• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die robuste Komponenten erfordern
Welche Art von Spannung kann während des Betriebs auftreten?
Er kann eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V verarbeiten und eignet sich daher für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Spannung.
Kann dieses Gerät bei hohen Temperaturen betrieben werden?
Ja, er hat einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C und kann daher auch unter extremen Bedingungen eingesetzt werden.
Welchen Nutzen hat der niedrige RDS(on) für das Schaltungsdesign?
Der niedrige RDS(on) reduziert die Leitungsverluste, was zu einem höheren Wirkungsgrad und einer geringeren Wärmeentwicklung bei Stromanwendungen führt.
Ist diese Komponente mit typischen PCB-Designs kompatibel?
Ja, er ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was eine nahtlose Integration in Standard-PCB-Layouts ermöglicht, die in verschiedenen elektronischen Designs verwendet werden.
Wie hoch ist die Gate-Schwellenspannung für diesen MOSFET?
Die maximale Gate-Schwellenspannung liegt bei 4 V, die minimale bei 2 V, so dass Ihre Schaltung auch bei niedrigen Spannungen korrekt schaltet.
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