Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 542-9951
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-378
Herst. Teile-Nr.:: IRFU5305PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Herst. Teile-Nr.:: IRFU5305PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	2.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	6.1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

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