Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 919-4867
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34NPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220AB

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro 1 Stück (in Stange zu 50)**

€ 0,473

(ohne MwSt.)

€ 0,568

(inkl. MwSt.)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Stück	Pro Stück	Pro Stange**
50 - 50	€ 0,473	€ 23,65
100 - 200	€ 0,35	€ 17,50
250 - 450	€ 0,327	€ 16,35
500 - 1200	€ 0,303	€ 15,15
1250 +	€ 0,284	€ 14,20

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 919-4867
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34NPBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	19 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	68 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.54mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	35 nC @ 10 V
Breite	4.69mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	8.77mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220AB

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Verwandte Produkte