Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -55 V / -11 A 38 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 262-6769
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 768,00
(ohne MwSt.)
€ 921,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,256 | € 768,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-6769
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Vollständig lawinenbeständig
Schnelles Schalten
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220