Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -55 V / -11 A 38 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 262-6770
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-678
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
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