Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 61 A 91 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
165-6749
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFZ48Z
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

61 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

91 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.83mm

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

43 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.51mm

Ursprungsland:
MX

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