Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 62 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
145-8641
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4510PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

62 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

13,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

58 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Höhe

9.02mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon


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