Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 214-4476
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-427
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002NH6327XTSA2
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 200 Stück)*
€ 22,60
(ohne MwSt.)
€ 27,20
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 2 600 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,113 | € 22,60 |
| 400 - 800 | € 0,107 | € 21,40 |
| 1000 - 1800 | € 0,103 | € 20,60 |
| 2000 - 4800 | € 0,098 | € 19,60 |
| 5000 + | € 0,091 | € 18,20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4476
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-427
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002NH6327XTSA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 60V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 60V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese Infineon SIPMOS Kleinsignal-MOSFETist ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie und/oder anderen Bereichen geeignet. Sie sind in fast allen Anwendungen zu finden, z. B. Batterieschutz, Batterie Batterie laden, LED-Beleuchtung usw.
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip DN1509 N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip 2N7002 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS139I Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23