Infineon BSS139I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 100 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
225-0563
Herst. Teile-Nr.:
BSS139IXTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

BSS139I

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.5Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Durchlassspannung Vf

0.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon BSS139I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.

Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen

Torantriebsflexibilität

Geringere Designkomplexität

Umweltfreundlich

Hoher Gesamtwirkungsgrad

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