Microchip 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 115 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
644-261
Herst. Teile-Nr.:
2N7002-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

2N7002

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.9mm

Breite

1.3 mm

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-free/RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der N-Kanal-Transistor von Microchip ist ein Enhancement-Mode-Transistor mit niedrigem Schwellenwert, der eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess nutzt. Durch diese Kombination entsteht ein Produkt mit der Leistungsfähigkeit von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist.

Sekundärdurchbruchfrei

Niedriger Leistungsbedarf des Antriebs

Einfaches Parallelisieren

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